Fabricação de memórias resistivas dos tipos regravável e worm com nanocompósito de cianoacrilato e nanopartículas de carbono

Abstract

Resumo: Este trabalho apresenta um estudo sobre dispositivos de memória orgânica do tipo resistivas tendo como camada ativa um filme fino de nanocompósito de cianoacrilato e nanoestruturas de carbono de uma única camada. O cianoacrilato foi usado como matriz polimérica por suas vantagens como mudança no subtipo do dispositivo de regravável para WORM (Write Once Read Many Times Memory) controlando apenas o tempo de envelhecimento. Para conferir biestabilidade ao cianoacrilato, que por si só é um ótimo isolante, e possibilitar seu emprego no desenvolvimento das memórias resistivas, adicionou-se quantidade controlada de nanoestruturas condutivas de Carbono (C). As nanoestruturas usadas foram nanopartículas de Carbono (NPC). Os dispositivos apresentaram razões de ION/IOFF da ordem de 104 a 105, revelando eficácia por meio da grande distinção dos estados de bits "0" e "1" e tensão de gravação de 2.0 V, o que é uma tensão baixa quando comparada com as pesquisas da área.

Abstract: This work presents a study on organic resistive memory devices with nanostructures/cyanoacrylate thin film nanocomposites as the active layer. Cyanoacrylate was used as a polymer matrix for its advantages such as changing the device subtype from rewritable to WORM (Write Once Read Many Times Memory), controlling only the aging time. In order to provide bistability, since the cyanoacrylate is itself an excellent insulator, enabling its use in the development of resistive memories, a controlled amount of conductive Carbon (C) nanostructures was added. The nanostructures used were Carbon nanoparticles (NPC). The devices showed an ION/IOFF of the order of 104 to 105, revealing efficacy for the application owing to the distinguihability of the "0" and "1" bit states at the recording voltage of 2.0 V, which would be a low voltage when compared to research in the area.