Modelo e resultado para um nivel profundo com duas configurações diferentes em Hg0.3Cd0.7Te

Abstract

Resumo: No presente trabalho desenvolve-se um modelo para um defeito que apresenta duas configurações controladas pelo seus dois estados de carga. Descreve-se matematicamente a cinética de captura e emissão durante as fases de uma medida de transientes de capacitância para níveis profundos ("DLTS") chegando-se as expressões gerais para as frações de ocupação. Tais relações são utilizadas para explicar e entender a dependência anômala das amplitudes das linhas de "DLTS" E2 e E4 com o comprimento do tempo de pulsor obtidas por Barbot et al em Hg0 3Cd0 7Te tipo-n.

Abstract: A model for a defect with two different configurations driven to its two states of charge is developed. A mathematical descripition of the capture and emission kinetics during each phase of a deep level transient spectroscopy (DLTS) measurement is done, leading to general expressions of the occupation fractions. Such relations are applied to explain the unusual dependence of the amplitude of DLTS lines E2 and E4 as a function of filling pulse length which were obtained by Barbot et al in n-type Hg03Cdo7Te.