Caracterização de filmes de cobalto eletrodepositados sobre silicio tipo-P

Abstract

Resumo: Filmes de cobalto foram depositados sobre silício (100) e (111) (tipo-p, dopado com boro) utilizando técnica eletroquímica. A deposição forneceu filmes uniformes e que apresentam boa aderência. São discutidos aspectos referentes ao processo de deposição, a qualidade do filme e suas características. As principais características avaliadas são a espessura do filme, resistividade elétrica, estrutura cristalina e morfologia, avaliadas respectivamente por: absorção de raios-x, método das quatro pontas de prova, diffatometria de raios-x e microscopia eletrônica de varredura. A analise estrutural dos filmes de cobalto evidenciou a presença de duas fases do cobalto (cubica de face centrada e hexagonal compacto) que dependem do substrato utilizado e do tempo de deposição. A presença de duas fases nos filmes de cobalto e as características morfológicas contribuem para o aumento da resistividade do filme com a diminuição do tempo de deposição.

Abstract: Cobalt films were deposited on silicon (100) and (111) (p-type, boron doped) using electrochemical technique. The deposition provided uniform films which present good adherence. Aspects related to the deposition process, the film quality and their characteristics are discussed. The main characteristics evaluated are the film thickness, electrical resistivity, crystalline structure and morphology, respectively obtained by: x-ray absorption, four point probe method, x-ray diffiactometry mid scanning electron microscopy. The structural analysis of the cobalt film show the presence of two cobalt phases (face centered cubic and hexagonal closed-packed) that depend on the used substract and on the deposition time. The presence of two phases in the cobalt film and its morphological characteristics contribute to the increase of the film resistivity with the decrease of the deposition time.