Transistores híbridos com base pseudo-metálica quimicamente depositada

Abstract

Resumo: Este trabalho tem como objetivo produzir e otimizar transistores híbridosde base pseudo-metálica utilizando polianilina sulfonada (SP AN), polímero autodopado.O dispositivo consiste de um substrato semicondutor inorgâanico de Silíciodo tipo n, usado como coletor de elétrons. Sobre este é depositado a base pseudo-metálica de SP AN e, por último, o emissor orgânico de fulereno C60.A SP AN pode ser conseguida com condutividade bastante elevada, levando a dispositivos com melhor desempenho e menor restrição quanto à arquitetura empregada. Dois modos distintos de operação são investigados: base comum e emissorcomum. Vários dispositivos com diferentes espessuras de base foram confeccionadose comparados, na tentativa de uma melhor compreensão do transporte de elétronsatravés da base.Para melhorar o processo de injeção de elétrons do emissor C60, para dentroda base de SP AN, foi utilizada uma camada de ~ 2,5 nm de V2O5.Medidas em modo AC foram feitas para investigar a faixa de frequência em que o dispositivo opera.

Abstract: The aim of this work is the preparation and optimization of hybrid transistorswith pseudo metalic base using sulfonated polyaniline, SP AN, a self-doped polymer.The device consists of an inorganic semiconductor substrate, n-type silicon, used as acollector of electrons. On the colector the pseudo-metallic base, SP AN, and finally,the organic emitter, fullerene C60, were deposited. The SP AN can be achieved withvery high conductivity, potentially leading to devices with better performance andlower restrictions concerning architecture.Two distinct operation modes are investigated: common base and commonemitter. Several devices with different base thickness were compared in an attempt tobetter understand how the transport of electrons through the base can be optimized.To improve the process of electrons injection from the emitter at the base, athin layer of V2O5 was evaporated on top of C60.AC Measurements were made to investigate the frequency range in whichthe device operates.