Transistores híbridos orgânico-inorgânico de base permeável preparada utilizando microesferas de poliestireno

Abstract

Resumo: Neste trabalho são investigadas técnicas de deposição de microesferas de poliestireno sobre um substrato de silício. O objetivo e construir uma grade metálica com tamanho e densidade de orifícios controlados utilizando as microesferas como máscara. Essa grade será utilizada na construção de transistores de base permeável. Duas técnicas mostraram-se mais adequadas para esse proposito, eletrospinnig e imersão em solução. Imagens de microscopia óptica e eletrônica de varredura da superfície do silício com a camada de esferas são mostradas aqui. A remoção das microesferas foi feita após a evaporação do filme metálico utilizando uma fita adesiva, método que se mostrou e ciente, além de fácil e barato. A caracterização elétrica dos transistores mostrou que e possível obter dispositivos com ganho em modo base comum muito próximo do ideal ( 1) tanto para dispositivos tipo p, quanto para dispositivos tipo n. Mas a operação elétrica em modo emissor comum ainda precisa ser aperfeiçoada.

Abstract: In this work are investigated polystyrene micro spheres deposition techniques over silicon substrates. The goal is to build a metal grid with size and density of controlled holes using the micro spheres as mask. This grid will be used on the construction of permeable base transistors. Two distinct techniques were appropriate to this purpose: eletrospinning and solution immersion. Optical and surface scanning electron microscopy images of the micro spheres layer are presented. The micro spheres removal was made after a metal lm evaporation using a tape, an easy, cheap and e cient method. The electrical characterization of the transistors showed that it is possible to obtain devices with near ideal ( 1) common base current gains, both for p and n-type devices. But the common emitter operation still needs to be improved.