Transistores orgânicos de efeito de campo em arquitetura vertical

Abstract

Resumo: Devido as vantagens dos materiais orgânicos, tais como baixo custo, flexibilidade e fácil processabilidade, transistores de efeito de campo que utilizam esses materiais, tem se tornado um tápico de pesquisa ativo nos Últimos anos. O desempenho dos transistores de efeito de campo organicos (OFETs) e geralmente discutido em termos da mobilidade de portadores de carga no semicondutor. Nos ultimos anos o desenvolvimento de novos semicondutores organicos e novas tecnicas de preparacão dos filmes, permitiu a obtencao de filmes organicos com alto grau de cristalinidade. Por outro lado, a geometria do dispositivo tambem afeta o desempenho. Em FETs convencionais, o comprimento do canal corresponde a distancia entre a fonte e o dreno, e na maioria dos casos, sao necessarias tecnicas de padronizacao bastante complexas de modo a se conseguir comprimentos de canal curtos. Um caminho alternativo para a construçao de FETs com comprimento de canal curto e o uso da arquitetura vertical. Nesta estrutura, o comprimento do canal pode ser controlado pela espessura da camada organica e um comprimento de canal menor do que 1 ^m pode ser conseguido facilmente. Este trabalho tem por objetivo a construcao e caracterizacão de FETs organicos em arquitetura vertical. Os dispositivos foram construídos utilizando filmes metalicos e nanotubos de carbono como eletrodo intermediário e semicondutores organicos com propriedades bem conhecidas como o fulereno C60 no canal. O alcool Polivinílico foi o material escolhido para constituir a camada isolante no dispositivo. Estes dispositivos apresentaram baixas correntes de fuga na porta, condoo necessaria para que o FET funcione efetivamente como um dispositivo de três terminais.