Memórias orgânicas baseadas em esferas de carbono e transistores de efeito de campo orgânicos e baixa tensão de operação

Abstract

Resumo: Nos ultimos 20 anos, o grande interesse na construcao de dispositivos eletronicos organicos tem proporcionado um rapido avanco na obtencao de dispositivos optoeletronicos flexiveis, de baixo impacto ambiental e baixo custo, utilizando filmes de semicondutores organicos. Atualmente, diversas aplicacoes de semicondutores organicos utilizados na construcao de dispositivos podem ser citadas, tais como: diodos emissores de luz organicos, transistores de efeito de campo organicos (Organic Field Effect Transistor . OFET), celulas fotovoltaicas organicas, sensores quimicos, memorias organicas, entre outras. Neste trabalho e demonstrada a construcao de dispositivos de memoria organicos irreversiveis utilizando estrutura sanduiche baseados em compositos de esferas de carbono dispersos em uma matriz polimerica, depositados entre eletrodos metalicos. E demonstrada tambem a construcao de OFETs de baixa tensao de operacao e sua aplicacao em circuitos logicos digitais. Estes OFETs foram construidos atraves da deposicao de filmes finos polimericos a partir de solucao, buscando assim processos de baixo custo. As memorias construidas a partir de um composito de polivinil fenol e esferas de carbono nao dopadas ou dopadas com boro ou com nitrogenio apresentaram um comportamento de memoria irreversivel. Os melhores dispositivos apresentaram alta razao ION/IOFF, maiores que 107, baixas tensoes de transicao, aproximadamente 2 V, tempos de transicao menores que 1ƒÊs e tempos de consolidacao de 10 ƒÊs . Os OFETs apresentaram tensoes de operacao na faixa de 5 V. O que e um requisito para a integracao destes OFETs em aplicacoes atuais. Os melhores OFETs utilizando poli(3- hexiltiofeno) apresentaram valores de mobilidade de 0,08 } 0,01 cm2/Vs, tensao critica de - 1.1 V e razoes on/off de aproximadamente 103. Foi demonstrada a plicacao destes transistores organicos na construcao de circuitos inversores, que apresentaram caracteristicas de ganho, margem de ruido e amplitude de saida similar a outros circuitos inversores ja publicados, indicando assim que o desempenho dos OFETs obtidos e compativel ao desempenho dos melhores OFETs similares, reportados na literatura. Foi demonstrada a aplicacao na construcao de transitores de porta flutuantes, onde a utilizacao de nanoparticulas de ouro como porta flutuante levou o aparecimento de uma histerese possivelmente causada pelo armadilhamento de cargas no interior destes nanoparticulas. Demonstrando assim a possibilidade da utilizacao destes transitores na construcao de memorias organicas do tipo flash.