https://hdl.handle.net/1884/84366 Sat, 25 Apr 2026 12:53:34 GMT 2026-04-25T12:53:34Z https://hdl.handle.net/1884/84488 Técnicas experimentais de propriedades ópticas : como ideias antigas são aplicadas aos novos sistemas nanoestruturados Resumo : Neste trabalho é feita uma exposição de técnicas experimentais ópticas com ênfase em materiais semicondutores e sistemas nanoestruturados. A partir de uma revisão história, constatou-se que o aperfeiçoamento de sistemas experimentais aumentou de maneira surpreendente a compreensão a respeito de mecanismos físicos em diversas áreas. Para uma maior clareza a respeito da física associada aos processos de absorção e emissão da luz, são feitas tanto uma aproximação clássica, quanto uma abordagem quântica. Em particular, dos vários possíveis processos de emissão, escolheu-se tratar da fotoluminescência (PL) e da eletroluminescência (EL). A exposição a respeito das técnicas ópticas foi separada em dois grupos. O primeiro grupo trata de técnicas baseadas na absorção da luz e aborda as espectroscopias de absorção e transmissão no ultravioleta-visível (UV-Vis), de refletividade, de modulação, no infravermelho (IR) e de fotocorrente. Já o segundo grupo refere-se às técnicas baseadas na emissão de radiação, expondo as espectroscopias de fotoluminescência, de eletroluminescência e espalhamento Raman; Abstract ; In this work an exposition of experimental optical techniques is made with emphasis on semiconductor materials and nanostructured systems. From a history review, it has been found that the re?nement of experimental systems has surprisingly increased the understanding of physical mechanisms in several areas. In order to have a better understanding of the physicas associated with the process of light absorption and emisson, both a classical approach and a quantum approach are done. Particularly, among the various possible processes of emission, it was chosen to deal with the photoluminescence (PL) and the electroluminescence (EL). The optical techniques were separated in two groups. The first group deals with spectroscopy techniques based on the absorption of light and focus on the absorption and transmission ultraviolet-visible (UV-Vis), reflectivity, modulation, infra-red (IR) and photocurrent. The second group refers to techniques based on the emission of radiation, in particular photoluminescence, electroluminescence and Raman spectroscopy Orientador: Prof. Dr. Evaldo Ribeiro; Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação) - Universidade Federal do Paraná, Setor de Ciências Exatas, Curso de Graduação em Física; Inclui referências Mon, 01 Jan 2018 00:00:00 GMT https://hdl.handle.net/1884/84488 2018-01-01T00:00:00Z https://hdl.handle.net/1884/86534 Unidade de ensino potencialmente significativa de eletromagnetismo com simulações Orientador: Professora Doutora Thaís Rafaela Hilger; Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação) - Universidade Federal do Paraná, Setor de Ciências Exatas, Curso de Graduação em Física; Inclui referências Fri, 01 Jan 2021 00:00:00 GMT https://hdl.handle.net/1884/86534 2021-01-01T00:00:00Z https://hdl.handle.net/1884/86532 Influência do campo magnético na percolação da resistividade elétrica em amostras de carbon-black Resumo : Neste trabalho, estudamos o comportamento percolativo da resistividade em carbon-black, sob o efeito de um campo magnético variável. Para estudar a percolação, foi medida a resistividade elétrica (p) desse material em função da densidade volumétrica (d) das amostras, submetidas a campos magnéticos de intensidade 0 a 15 T. Foram utilizadas seis amostras com diferentes densidades de carbon-black, que foram resfriadas à duas temperaturas diferentes: 1.4 e 100 K. Foi feita a análise da resistividade elétrica das amostras cuja dependência com a densidade deve seguir a função p = p0(d - dc)-t , onde dc á a densidade crítica, que com a análise dos gráficos obtidos, foi estimada em 0,03802 g/cm³ e t é o expoente críitico cujo valor é esperado ser universal. Para verificar a universalidade de t, avaliamos se o expoente varia com temperatura e com o campo magnético. Observamos com este estudo que t depende da temperatura, mas não depende do campo magnético.; Abstract: In this work, we study the percolative behavior of carbon-black resistivity under the effect of a variable magnetic field. To study the percolation, the electrical resistivity (p) of this material was measured as a function of the volumetric density (d) of the samples, subjected to magnetic fields of intensity 0 to 15 T. Six samples with different carbon-black densities were used, which were cooled to two different temperatures: 1.4 and 100 K. The analysis of the electrical resistivity of the samples whose dependence on density must follow the unction p = p0(d - dc)-t , where dc is the critical density, which with the analysis of the obtained graphs, was estimated at 0,03802 g/ cm³ and t is the critical exponent whose value is expected to be universal. To verify the universality of t, we evaluate whether the exponent varies with temperature and with the magnetic field. We observe with this study that t depends on the temperature, but it does not depend on the magnetic field. Orientador: Profº Dr. Alex Aparecido Ferreira; Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação) - Universidade Federal do Paraná, Setor de Ciências Exatas, Curso de Graduação em Física; Inclui referências Fri, 01 Jan 2021 00:00:00 GMT https://hdl.handle.net/1884/86532 2021-01-01T00:00:00Z https://hdl.handle.net/1884/86530 Estudo de primeiros princípios da correlação entre estrutura e magnetoeletricidade na Ferrita de Bismuto BiFeO3 Resumo: A dependência das propriedades multiferroicas e o efeito magnetoelétrico da ferrita de bismuto (BiFeO3) com variações no volume da célula unitária do material foi investigada através do uso da teoria do funcional densidade (DFT), utilizando a aproximação de gradiente generalizado (GGA) com parâmetro U de Hubbard. Relatamos uma dependência expressiva da polarização intrínseca do material para os diferentes volumes, com uma variação da ordem de 30% entre o maior e menor valor obtidos. A estrutura do material é pouco afetada pelo escalonamento da célula, resultando em variações pequenas dos ângulos de rotação dos octaedros da estrutura perovskita e de ligação entre os íons de ferro e oxigênio. O comportamento magnético do material é também pouco afetado, havendo pouca mudança no momento magnético para os volumes estudados, porém uma alteração significativa na intensidade da interação de supertroca entre os íons de ferro vizinhos é reportada. Foi verificado que para volumes comprimidos a tendência do material é intensificar a hibridização dos orbitais, resultando em menor localização de seus estados eletrônicos e uma maior dispersão da estrutura de bandas, sendo o comportamento contrário observado para volumes expandidos. Apesar disso, o gap indireto do material sofre pouca variação, mantendo-se da ordem de 1,9 eV e caracterizando o BiFeO3 como um semicondutor de gap largo para todos os cenários estudados; Abstract: The dependence of the multiferroic properties and the magnetoelectric effect in bismuth ferrite (BiFeO3) in regards to variations in the volume of the unit cell was investigated through the use of density functional theory (DFT), using the generalized gradient approximation (GGA) as well as a Hubbard-U parameter. We report a significant dependence of the intrinsic polarization of the material for the different volumes, up to a 30% difference between the highest and lowest values obtained. The structure of the material is scarcely affected by the scaling of the unit cell, resulting in small variations in the angles of octahedra rotation of the perovskite structure and of the bond between Fe-O-Fe. The magnetic behaviour of the material is also barely affected, with little change in the magnetic momenta for the volumes considered, although a significant variation in the intensity of the superexchange interaction between neighbouring Fe ions is reported. It was observed that for compressed volumes there is a trend of intensification of orbital hybridization, resulting in a increased dispersion of associated electronic states and a flattening of the band structure. The opposite behaviour was observed for expanded volumes. Nonetheless, the indirect gap of the material is also only slightly affected, maintaining itself at approximately 1,9 eV and thus caracterizing BiFeO3 as a large gap semiconductor for all cases studied Orientador: Prof. Dr. Luiz Gustavo Davanse da Silveira; Monografia (graduação) - Universidade Federal do Paraná, Setor de Ciências Exatas, Curso de Graduação em Física.; Inclui referências Fri, 01 Jan 2021 00:00:00 GMT https://hdl.handle.net/1884/86530 2021-01-01T00:00:00Z