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dc.contributor.advisorArtuzi Junior, Wilson Arnaldopt_BR
dc.contributor.authorOliveira, Marcelo Francisco de, 1990-pt_BR
dc.contributor.otherUniversidade Federal do Paraná. Setor de Tecnologia. Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétricapt_BR
dc.date.accessioned2021-05-26T20:26:47Z
dc.date.available2021-05-26T20:26:47Z
dc.date.issued2019pt_BR
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/1884/65542
dc.descriptionOrientador: Prof. Dr. Wilson Arnaldo Artuzi Juniorpt_BR
dc.descriptionDissertação (mestrado) - Universidade Federal do Paraná, Setor de Tecnologia, Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica. Defesa : Curitiba, 26/08/2019pt_BR
dc.descriptionInclui referências: p. 65-67pt_BR
dc.description.abstractResumo: Essa dissertação propõe a modelagem não linear de transistores de efeito de campo de radiofrequência e a análise não linear quando o mesmo opera como amplificador. Na metodologia utilizada neste trabalho, inicialmente é realizada a extração dos parâmetros do modelo de pequenos sinais através da técnica dos mínimos quadrados iterativo, utilizando para isso os dados dos parâmetros de espalhamento (ou parâmetros S) para todos os pontos de polarização fornecidos pelos fabricantes dos transistores. Com os parâmetros extraídos, é realizada a modelagem dos elementos intrínsecos (Ids, Cgs, Cds e Cdg) do modelo através de equações pré determinadas. A extração e a modelagem dos parâmetros do circuito equivalente do transistor são realizadas através do software Matlab. A análise não linear do comportamento do transistor é feita através da simulação do circuito equivalente de grandes sinais do transistor através do software Qucs, no qual é realizada a análise das potências de entrada e saída e feita a comparação com os dados fornecidos pelo datasheet para validação. Palavras-chave: Modelagem não linear. FET. Método dos mínimos quadrados. Circuito equivalente de pequenos sinais.pt_BR
dc.description.abstractAbstract: This dissertation proposes the nonlinear modeling of radiofrequency field effect transistors and the nonlinear analysis when it operates as an amplifier. In the methodology used in this work, the extraction of small signal model parameters is performed through the iterative least squares technique, using the scattering parameter data (or S parameters) for all polarization points provided by the transistor manufacturers. With the extracted parameters, the modeling of the intrinsic elements (Ids, Cgs, Cds e Cdg) of the model is performed through predetermined equations. Extraction and modeling of the transistor equivalent circuit parameters is performed using Matlab software. The nonlinear analysis of the transistor behavior is made by simulating the large signals equivalent circuit through the Qucs software, where the input and output power analysis is performed and compared with the data provided by the datasheet for validation. Keywords: Nonlinear Modeling. FET. Least-squares method. Small Signal Equivalent Circuit.pt_BR
dc.format.extent86 p. : il.pt_BR
dc.format.mimetypeapplication/pdfpt_BR
dc.languagePortuguêspt_BR
dc.subjectTransistorespt_BR
dc.subjectMinimos quadradospt_BR
dc.subjectEngenharia Elétricapt_BR
dc.titleModelagem não-linear de transistores de efeito de campo pelo método dos mínimos quadrados iterativopt_BR
dc.typeDissertação Digitalpt_BR


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