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dc.contributor.advisorBettega, Marcio Henrique Franco, 1964-pt_BR
dc.contributor.otherUniversidade Federal do Paraná. Setor de Ciências Exatas. Programa de Pós-Graduação em Físicapt_BR
dc.creatorMoreira, Giseli Mariapt_BR
dc.date.accessioned2023-06-05T13:38:31Z
dc.date.available2023-06-05T13:38:31Z
dc.date.issued2016pt_BR
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/1884/43209
dc.descriptionOrientador: Prof. Dr. Márcio Henrique Franco Bettegapt_BR
dc.descriptionDissertação (mestrado) - Universidade Federal do Paraná, Setor de Ciências Exatas, Programa de Pós-Graduação em Física. Defesa: Curitiba, 24/02/2016pt_BR
dc.descriptionInclui referências : f. 95-104pt_BR
dc.description.abstractResumo: Nesta dissertação apresentamos os resultados calculados para o espalhamento elástico de elétrons por moléculas de CCl4, XF4(X=Si,Ge) e 1,2-butadieno. As moléculas alvo foram descritas na aproximação de núcleos fixos (Born-Oppenheimmer), através do método de Hartree-Fo k. Para os cálculos de espalhamento, utilizamos o método multicanal de Schwinger, implementado com pseudopotenciais de Bachelet, Hamann e Schlüter. Dentro desse método utilizamos duas aproximações para descrever o efeito de interação do elétron incidente com a molécula alvo, a saber, aproximação estático-troca, a qual não leva em onta a deformação da nuvem eletronica do alvo pelo elétron incidente, e a estático-troca mais polarização, na qual é permitida a deformação da nuvem eletronica. Para o CCl4 mostramos a seção de hoque integral, seção de choque de transferência de momento e seções de choque diferenciais. Detectamos a presença de duas ressonâncias de forma na seção de choque em 0,75 eV e 8 eV, e também um estado ligado. Para o SiF4 e GeF4, obtivemos as seções de choque integral, transferência de momento e diferenciais. No SiF4 observamos a presença de uma ressonância de forma em 8,5 eV e um mínimo de Ramsauer-Townsend em 0,45 eV. No GeF4 observamos uma ressonância de forma ao longo da seção de choque em 6 eV, e também a presença de um estado virtual. Para o 1,2-butadieno o procedimento Born- closure foi empregado para levar em conta o efeito do momento de dipolo e calculamos a seção de choque integral. Encontramos uma ressonância pronunciada nessa seção de choque em 2,4 eV, valor muito próximo ao da posição da ressonância encontrada no aleno em 2,5 eV. As ressonâncias identificadas nas seções de choque foram caracterizadas e suas posições comparadas com os resultados experimentais e de outros métodos teóricos disponíveis na literatura, com os quais obtivemos uma boa concordânciapt_BR
dc.description.abstractAbstract: In this work we present the results for al ulations of the elasti ele tron s attering by CCl4, XF4(X=Si,Ge) and 1,2-butadiene mole ules. The targets were des ribed within the _xed-nu lei approximation (Born-Oppenheimmer) through the Hartree-Fo k method. The s attering al ulations were done using the S hwinger multi hanel method imple- mented with pseudopotentials of Ba helet, Hamann and S hlüter. Within these methods, we used two approa hes to des ribe the e_e t of intera tion of the in ident ele tron with the target mole ule: the stati -ex hange approximation, whi h ignores the deformation of the target ele troni loud due to the in oming ele tron, and stati -ex hange plus po- larization, whi h allows this deformation. For CCl4, SiF4 and GeF4 we show the integral, momentum transfer and di_erential ross se tions. For 1,2-butadiene, we show the inte- gral and di_erential ross se tions and employ the Born- losure pro edure to take into a ount the e_e t of dipole moment in this mole ule. We also ompared the position of the resonan es with the allene integral ross se tion. For the CCl4 we dete ted two shape resonan es in the ross se tion at 0.75 eV and 8 eV and also a bound state. In SiF4 and GeF4 we observed resonan es at 8.5 eV to SiF4 and 6 eV to GeF4, and we investigated the presen e of a Ramsauer-Townsend minimum at 0.45 eV to SiF4 mole ule and a virtual state to the GeF4 mole ule. Finally, we ompared the ICS of 1,2-butadiene with allene to identify and hara terize their resonan es at 2.4 eV and 2.5 eV. Resonan es identi_ed in the ross se tions were hara terized and their positions ompared with experimental results and other theoreti al methods available in the literature, with whi h we obtained a good agreement.pt_BR
dc.format.extent104 f. : il. algumas color ; 30 cm.pt_BR
dc.format.mimetypeapplication/pdfpt_BR
dc.languagePortuguêspt_BR
dc.relationDisponível em formato digitalpt_BR
dc.subjectFísicapt_BR
dc.subjectEspalhamento (Fisica)pt_BR
dc.subjectColisões (Fisica)pt_BR
dc.subjectEletronica molecularpt_BR
dc.titleEspalhamento de elétrons por moléculas de CCl4, XF4 (X=Si, Ge) e 1,2-butadienopt_BR
dc.typeDissertaçãopt_BR


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