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dc.contributor.advisorHummelgen, Ivo Alexandre, 1963-pt_BR
dc.contributor.otherUniversidade Federal do Paraná. Setor de Ciências Exatas. Programa de Pós-Graduação em Físicapt_BR
dc.creatorKoehler, Marluspt_BR
dc.date.accessioned2024-02-19T16:14:59Z
dc.date.available2024-02-19T16:14:59Z
dc.date.issued1996pt_BR
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/1884/41938
dc.descriptionOrientador: Ivo A. Hummelgenpt_BR
dc.descriptionDissertação (mestrado) - Universidade Federal do Paraná, Setor de Ciencias Exatas, Programa de Pós-Graduação em Físicapt_BR
dc.description.abstractResumo: No presente trabalho desenvolve-se um modelo para um defeito que apresenta duas configurações controladas pelo seus dois estados de carga. Descreve-se matematicamente a cinética de captura e emissão durante as fases de uma medida de transientes de capacitância para níveis profundos ("DLTS") chegando-se as expressões gerais para as frações de ocupação. Tais relações são utilizadas para explicar e entender a dependência anômala das amplitudes das linhas de "DLTS" E2 e E4 com o comprimento do tempo de pulsor obtidas por Barbot et al em Hg0 3Cd0 7Te tipo-n.pt_BR
dc.description.abstractAbstract: A model for a defect with two different configurations driven to its two states of charge is developed. A mathematical descripition of the capture and emission kinetics during each phase of a deep level transient spectroscopy (DLTS) measurement is done, leading to general expressions of the occupation fractions. Such relations are applied to explain the unusual dependence of the amplitude of DLTS lines E2 and E4 as a function of filling pulse length which were obtained by Barbot et al in n-type Hg03Cdo7Te.pt_BR
dc.format.extent76f. : il ; 30cm.pt_BR
dc.format.mimetypeapplication/pdfpt_BR
dc.languagePortuguêspt_BR
dc.relationDisponível em formato digitalpt_BR
dc.subjectFisicapt_BR
dc.titleModelo e resultado para um nivel profundo com duas configurações diferentes em Hg0.3Cd0.7Tept_BR
dc.typeDissertaçãopt_BR


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