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dc.contributor.advisorHummelgen, Ivo Alexandre, 1963-pt_BR
dc.contributor.authorKvitschal, Adanpt_BR
dc.contributor.otherUniversidade Federal do Paraná. Setor de Ciências Exatas. Programa de Pós-Graduaçao em Físicapt_BR
dc.date.accessioned2018-07-27T14:50:05Z
dc.date.available2018-07-27T14:50:05Z
dc.date.issued2015pt_BR
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/1884/40841
dc.descriptionOrientador: Prof. Dr. Ivo Alexandre Hümmelgenpt_BR
dc.descriptionDissertação (mestrado) - Universidade Federal do Paraná, Setor de Ciências Exatas, Programa de Pós-Graduação em Física. Defesa: Curitiba, 04/08/2015pt_BR
dc.descriptionInclui referências : f. 72-74pt_BR
dc.description.abstractResumo: Este trabalho apresenta uma analise de modelos para o transistor vertical de efeito de campo com fonte permeável. Investiga-se também mecanismos de transporte eletrônico em superfícies metal-semicondutor. As analises são feitas com base em semicondutores de estado solido e estendidas a eletrônica molecular com a inclusão de algumas considerações. Em seguida são realizados experimentos para o controle da morfologia de um filme fino metálico em uma única etapa de evaporação térmica, a fim de obter permeabilidade a passagem de campos elétricos no sentido ortogonal sem perda de condutância no sentido planar. A morfologia e aferida através de microscopia de forca atômica, sendo que os dados são correlacionados com medidas de resistência de folha. Finalmente são realizados dois transistores com eletrodo intermediário permeabilizado através da técnica mencionada acima, porem com dois semicondutores moleculares diferentes, o fulereno e a ftalocianina de cobre. Os resultados obtidos revelam um comportamento ambipolar do dispositivo com ftalocianina como semicondutor, apresentando ganho de corrente, relação on/off e transcondutância relativamente altos em comparação a dispositivos orgânicos da literatura, além de tensões de operação abaixo de 5 V. Palavras-Chave: Eletrônica Orgânica, Transistor Vertical de Efeito de Campo, Filme Fino, Ftalocianina, Ambipolar, Baixa Tensão, Eletrodo Permeávelpt_BR
dc.description.abstractAbstract: In this work, an analysis of models for the vertical field effect transistor with permeable source electrode as well as basic charge transfer mechanisms in metalsemiconductor interfaces is presented. These analyses are made considering solidstate semiconductors and then extending the concept to molecular semiconductors with the introduction of some considerations. Also, experiments concerning the morphology control of thin metal films in a single thermal evaporation step are realized, aiming the achievement of orthogonal electric field permeability without loss of in-plane conductivity. The morphology is analyzed by atomic force microscope imaging, and the data is correlated to sheet resistance measurements. Finally, two transistors are realized using an intermediate electrode permeabilized trough the techniques described above, however two different molecular semiconductor are utilized; fullerene and copper phtalocyanine. The results show an ambipolar behavior for the phtalocyanine device, with high current gain, on/off ratio and transconductance in comparison to other organic devices in the literature, as well as operating voltages below 5 V. Keywords: Organic Electronics, Vertical Field Effect Transistor, Thin Film, Pthalocyanine, Ambipolar, Low Voltage, Permeable Electrodept_BR
dc.format.extent76 f. : il. algumas color., grafs., tabs.pt_BR
dc.format.mimetypeapplication/pdfpt_BR
dc.languagePortuguêspt_BR
dc.relationDisponível em formato digitalpt_BR
dc.subjectFísicapt_BR
dc.subjectEletronica quanticapt_BR
dc.subjectTransistores de efeito de campopt_BR
dc.subjectEletrodospt_BR
dc.subjectTesespt_BR
dc.titleEstudo e implementação de transistor orgânico vertical de efeito de campo com eletrodo intermediário naturalmente permeávelpt_BR
dc.typeDissertaçãopt_BR


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