Determinação das variações de volume na superficie de silicio implantado com altas doses de O+, atraves de observações por microscopia optica de interferencia

Abstract

Resumo: A implantação de altas doses de 0+ em cristais de silicio monocristalino provoca mudanças estruturais nestes. Estas alterações são evidenciadas pelo inchamento das regiões implantadas. Estudando a topografia das superfícies através de observações por microscopia óptica de interferência, conseguimos mapear as variações nas superfícies implantadas. Constatou-se assim, que o inchamento destas últimas está diretamente relacionado com a presença de uma camada enterrada de SiO2 . Efetou-se também acompanhamentos da topografia das superfícies implantadas, submetidas a tratamentos térmicos sequenciais, que permitiu determinar comportamentos diferentes em função da dose de implantação.

Abstract: The high dose O+ ion-implantation into monocrystal silicon produces structural changes. These alterations are evidenced by the swelling of the implanted area. The study of the surface topography by interference observations, permits to evaluate the expansion of the implanted regions. It is shown that the swelling of the implanted surface is strongly related with the presence of a buried Si 02 layer. It is also shown from the topographical observations of the implanted surface submitted to sequential thermal treatment, that the behaviour of these surfaces is oxygen dose dependent.