Transistor vertical orgânico análogo a uma estrutura : semicondutor tipo N/metal/semicondutor tipo P

Abstract

Resumo: O presente trabalho tem como objetivo produzir e caracterizar transistores verticais em uma estrutura semicondutor tipo n / metal / semicondutor tipo p utilizando apenas materiais orgânicos. O trabalho teve inicio com a busca do material para formar o coletor, escolheu-se o polibitiofeno (PBT), um material tipo p que e eletroquimicamente depositado. Para a base optou-se por usar um filme fino Poli(3,4-etilenodioxitiofeno)-poli(sulfonato de estireno) (PEDOT:PSS). O material orgânico escolhido para formar o emissor foi o Tris(8-hidroxido quinolina) alumínio (Alq3), um material tipo n. Foram realizadas medidas de voltametria cíclica e de absorbância para caracterização dos materiais. As características elétricas dos dispositivos foram realizadas a dois e a três terminais.

Abstract: The presente work has the objective to produce and characterize vertical transistors in a semiconductor type n / metal / semiconductor type p structure using only organic materials. The work began with the choose of material to form the collector, was chosen the polybityophene (PBT), that is a type p material and is electrochemically deposited. For the base layer we decided to use a thin film of poly(3,4-ethylenedioxythiophene) poly(styrenesulfonate) (PEDOT:PSS). The organic material chosen for the emitter layer was Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminium (Alq3), a type n material. Was made measurements of cyclic voltammetry and absorbance for to characterize the materials. The electrical characteristic of the devices were made in a two and three terminals mode.