Transistor vertical orgânico análogo a uma estrutura

Abstract

Resumo: O presente trabalho tem como objetivo produzir e caracterizar transistores verticais em uma estrutura semicondutor tipo n / metal / semicondutor tipo p utilizando apenas materiais orgânicos. O trabalho teve inicio com a busca do material para formar o coletor, escolheu-se o polibitiofeno (PBT), um material tipo p que e eletroquimicamente depositado. Para a base optou-se por usar um filme fino Poli(3,4-etilenodioxitiofeno)-poli(sulfonato de estireno) (PEDOT:PSS). O material orgânico escolhido para formar o emissor foi o Tris(8-hidroxido quinolina) alumínio (Alq3), um material tipo n. Foram realizadas medidas de voltametria cíclica e de absorbância para caracterização dos materiais. As características elétricas dos dispositivos foram realizadas a dois e a três terminais.