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dc.contributor.authorNypwipwy, Vithor Bernardopt_BR
dc.contributor.otherArtuzi Junior, Wilson Arnaldopt_BR
dc.contributor.otherUniversidade Federal do Paraná. Setor de Tecnologia. Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétricapt_BR
dc.date.accessioned2014-05-22T14:03:17Z
dc.date.available2014-05-22T14:03:17Z
dc.date.issued2014pt_BR
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/1884/35089
dc.description.abstractResumo: Esta dissertação que tem como objetivo fundamental a extração de parâmetros e a modelagem de transistores de efeito de campo é basicamente dividida em duas partes. A primeira parte propõe um modelo matemático de interpolação através do método dos mínimos quadrados iterativo, com objetivo de extrair parâmetros lineares de transistores MESFETs e HEMTs a partir de tabelas de parâmetros de espalhamento, fornecidos pelo fabricante dos dispositivos. Com os valores dos elementos do circuito de pequenos sinais extraídos, são calculados parâmetros de espalhamento e os resultados são posteriormente comparados com os dados do fabricante. Na segunda parte, um dos transistores HEMT, cujos parâmetros de circuito equivalente de pequenos sinais foram extraídos na primeira parte, é modelado através do método de interpolação bi-cúbica e simulado operando como amplificador sobre uma linha de transmissão do tipo microstrip, através de dois simuladores: o método dos elementos finitos no domínio do tempo (FETD) e QUCS. Os resultados do método FETD e do simulador QUCS são comparados entre si. Uma modelagem de grandes sinais é realizada através do FETD para a análise dos fenômenos não lineares através de curvas de potência de entrada e de saída.pt_BR
dc.format.mimetypeapplication/pdfpt_BR
dc.languagePortuguêspt_BR
dc.subjectTesespt_BR
dc.titleModelagem de transistores de efeito de campo com extração de parâmetros baseada nos métodos dos mínimos quadrados iterativo e de interpolação bi-cúbicapt_BR
dc.typeDissertaçãopt_BR


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