| dc.description.abstract | Resumo: Neste trabalho estudamos uma nova maneira de verificar o efeito da modulação de composiçao na liga InGaP: nao destrutiva, nao invasiva e de rapida realizaçao. Para tal, utilizamos a tecnica de espectroscopia de fo- toluminescencia, em funcao da temperatura e da potencia de excitacao. A emissao luminosa dessa liga mostrou uma pequena anomalia no comporta-mento esperado do pico de fotoluminescencia em funcao da temperatura, na faixa entre 10 K e 50 K, que associamos quantitativamente a modulacao de composicao. Foi proposto um modelo de localizaçao devida à flutuacao da composicao, que gera uma alternancia de regiões ricas em In e ricas em Ga. Os estudos em funcao da intensidade de excitacao nas amostras mostraram a presença de domínios de ordenamento atômico, para a mesma faixa de tem-peratura, pequenos o suficiente para não terem sido vistos em microscopia eletrônica de transmicão. O estudo envolveu tambem uma discussao de mo-delos teóricos que descrevem o comportamento do gap de energia do material em funcao da temperatura. Estes modelos permitiram levantar correlacoes entre parâmetros de ajustes que confirmam a consistancia da proposta de me-canismo para a anomalia da fotoluminescencia. As amostras utilizadas sao provenientes de crescimento epitaxial por feixe químico (CBE - Unicamp) onde a camada InGaP apresenta modulação de composição. Estudamos dois conjuntos de amostras: o primeiro nos foi cedido pela Profa. Dra. Mônica A. Cotta diretamente; e o segundo foi crescido a fim de reproduzir a condicão de organizacao espacial de pontos quanticos e permitir um futuro empilhamento dessas nanoestruturas em arranjos periodicos. | pt_BR |
