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dc.contributor.authorRossi, Lucielipt_BR
dc.contributor.otherHummelgen, Ivo Alexandre, 1963-pt_BR
dc.contributor.otherUniversidade Federal do Paraná. Setor de Ciencias Exatas. Programa de Pós-Graduaçao em Físicapt_BR
dc.date.accessioned2013-05-20T16:16:49Z
dc.date.available2013-05-20T16:16:49Z
dc.date.issued2013-05-20
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/1884/30069
dc.description.abstractResumo: Devido as vantagens dos materiais orgânicos, tais como baixo custo, flexibilidade e fácil processabilidade, transistores de efeito de campo que utilizam esses materiais, tem se tornado um tápico de pesquisa ativo nos Últimos anos. O desempenho dos transistores de efeito de campo organicos (OFETs) e geralmente discutido em termos da mobilidade de portadores de carga no semicondutor. Nos ultimos anos o desenvolvimento de novos semicondutores organicos e novas tecnicas de preparacão dos filmes, permitiu a obtencao de filmes organicos com alto grau de cristalinidade. Por outro lado, a geometria do dispositivo tambem afeta o desempenho. Em FETs convencionais, o comprimento do canal corresponde a distancia entre a fonte e o dreno, e na maioria dos casos, sao necessarias tecnicas de padronizacao bastante complexas de modo a se conseguir comprimentos de canal curtos. Um caminho alternativo para a construçao de FETs com comprimento de canal curto e o uso da arquitetura vertical. Nesta estrutura, o comprimento do canal pode ser controlado pela espessura da camada organica e um comprimento de canal menor do que 1 ^m pode ser conseguido facilmente. Este trabalho tem por objetivo a construcao e caracterizacão de FETs organicos em arquitetura vertical. Os dispositivos foram construídos utilizando filmes metalicos e nanotubos de carbono como eletrodo intermediário e semicondutores organicos com propriedades bem conhecidas como o fulereno C60 no canal. O alcool Polivinílico foi o material escolhido para constituir a camada isolante no dispositivo. Estes dispositivos apresentaram baixas correntes de fuga na porta, condoo necessaria para que o FET funcione efetivamente como um dispositivo de três terminais.pt_BR
dc.format.mimetypeapplication/pdfpt_BR
dc.languagePortuguêspt_BR
dc.subjectTesespt_BR
dc.subjectTransistores de efeito de campopt_BR
dc.subjectSemicondutores organicospt_BR
dc.subjectNanotubos de carbonopt_BR
dc.titleTransistores orgânicos de efeito de campo em arquitetura verticalpt_BR
dc.typeTesept_BR


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