O formalismo de Redfield aplicado à interface Corante/Semicondutor

dc.contributor.author	Tromer, Raphael Matozo	pt_BR
dc.contributor.other	Freire, Jose Arruda de Oliveira	pt_BR
dc.contributor.other	Universidade Federal do Paraná. Setor de Ciencias Exatas. Programa de Pós-Graduaçao em Física	pt_BR
dc.date.accessioned	2010-05-31T12:48:44Z
dc.date.available	2010-05-31T12:48:44Z
dc.date.issued	2010-05-31T12:48:44Z
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/1884/23811
dc.description.abstract	Resumo: Neste trabalho propomos um modelo simplificado de orbitais atômicos para representar a interface corante/TiO2 de uma célula de Grätzel, com o propósito de ilustrarmos o formalismo de Redfield que inclui um termo associado à recombinação eletrônica na dinâmica quântica. Mostramos que este termo é algumas ordens de grandeza menor que o termo associado à dinâmica quântica. Para que os efeitos da recombinação fossem visíveis, ajustamos (mesmo considerando valores não-físicos) o que chamamos de constante de Redfield para que as dinâmicas quântica e da recombinação pudessem ocorrer na mesma escala de tempo. Fizemos várias análises do processo de transferência de carga na interface corante/TiO2, e desta forma conseguimos explicar, usando o formalismo de Redfield, alguns fenômenos associados à recombinação.	pt_BR
dc.format.mimetype	application/pdf	pt_BR
dc.language	Português	pt_BR
dc.subject	Teses	pt_BR
dc.title	O formalismo de Redfield aplicado à interface Corante/Semicondutor	pt_BR
dc.type	Dissertação	pt_BR