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dc.contributor.advisorRoman, Lucimara Stolz, 1971-pt_BR
dc.contributor.otherUniversidade Federal do Paraná. Setor de Tecnologia. Programa de Pós-Graduação em Engenharia e Ciência dos Materiais - PIPEpt_BR
dc.creatorCava, Carlos Eduardopt_BR
dc.date.accessioned2024-05-27T16:20:00Z
dc.date.available2024-05-27T16:20:00Z
dc.date.issued2006pt_BR
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/1884/8801
dc.descriptionOrientadora: Lucimara Stolz Romanpt_BR
dc.descriptionDissertação (mestrado) - Universidade Federal do Paraná, Setor de Tecnologia, Programa de Pós-Graduação em Engenharia - PIPE. Defesa: Curitiba, 2006pt_BR
dc.descriptionInclui bibliografiapt_BR
dc.descriptionÁrea de concentração: Engenharia de materiaispt_BR
dc.description.abstractResumo: Neste trabalho é apresentado o estudo de dispositivos de memória construídos em geometria planar. O vidro é utilizado como substrato e sobre ele é evaporado um contato metálico que posteriormente é separado por uma distância micrométrica. Em seguida, é depositado sobre estes contatos os nanotubos de carbono sozinhos ou em forma de compósito com um polímero semicondutor. Durante o trabalho é discutido o processo físico de transporte de elétrons, resultante dos nanotubos de carbono preenchidos com óxido de ferro. Os resultados apresentam um bom dispositivo de memória com a possibilidade de escrever, ler e apagar uma informação eletricamente. O dispositivo apresentou bons tempos de retenção da informação, com estabilidade entre os estados gravado e desgravado.pt_BR
dc.description.abstractAbstract: This work presents memory devices built in a planar geometry. Glass is usedas a substrate where metallic contacts are evaporated that are after separated by amicrometric distance. After that, carbon nanotubes alone or in a composite with asemiconductor polymer are deposited on those contacts. The physical process ofelectrons transport, resulted from the carbon nanotubes filled with iron oxide is alsodiscussed.The results show a good memory device with the possibility of writting, readingand erasing information electrically. The device presented good information retentiontimes, with stability between states on and off.pt_BR
dc.format.extent75f. : il.pt_BR
dc.format.mimetypeapplication/pdfpt_BR
dc.languagePortuguêspt_BR
dc.relationDisponível em formato digitalpt_BR
dc.subjectNanotubos de carbonopt_BR
dc.subjectDispositivospt_BR
dc.subjectEngenharia de Materiais e Metalurgiapt_BR
dc.titleDispositivos de memória baseados em nanotubos de carbonopt_BR
dc.typeDissertaçãopt_BR


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