Caracterização de Si implantado com altas doses de oxigenio atraves de microscopia otica de interferencia e ataque quimico

Abstract

Resumo: A implantação de íons de O + em Si produz modificações em suas propriedades mecânicas, químicas e óticas. Usando técnicas de microscopia ótica de interferência e de ataque químico, observa-se um padrão de dissolução característico na fronteira da região implantada, revelando a existência de uma microestrutura nesta região. Esta está relacionada a efeitos de mascaramento, difusão do oxigênio, surgimento de defeitos e precipitados de SiO2 e a existência de tensões . As modificações na topografia de superfície assim como a criação de defeitos após tratamentos térmicos em alta temperatura também foram estudadas.

Abstract: The high dose O + implantation in Si monocrystals changes the mechanical, chemical and optical properties of the bulk. Using optical interference microscopy and chemical etching, a characteristic dissolution pattern is observed in the implanted region boundary. This microstructure is related with conditions such as ion implantation mask, oxygen diffusion, defects and SiO2 precipitates and stress field. The modifications in surface topography and defects production by high temperature annealing are described too.