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dc.contributor.otherArtuzi Junior, Wilson Arnaldopt_BR
dc.contributor.otherUniversidade Federal do Paraná. Setor de Tecnologia. Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétricapt_BR
dc.creatorNypwipwy, Vithor Bernardopt_BR
dc.date.accessioned2023-12-27T18:51:34Z
dc.date.available2023-12-27T18:51:34Z
dc.date.issued2014pt_BR
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/1884/35089
dc.descriptionOrientador : Prof. Dr. Wilson Arnaldo Artuzi Juniorpt_BR
dc.descriptionDissertação (mestrado) - Universidade Federal do Paraná, Setor de Tecnologia, Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica. Defesa: Curitiba, 21/02/2014pt_BR
dc.descriptionInclui referênciaspt_BR
dc.descriptionÁrea de concentração: Telecomunicaçõespt_BR
dc.description.abstractResumo: Esta dissertação que tem como objetivo fundamental a extração de parâmetros e a modelagem de transistores de efeito de campo é basicamente dividida em duas partes. A primeira parte propõe um modelo matemático de interpolação através do método dos mínimos quadrados iterativo, com objetivo de extrair parâmetros lineares de transistores MESFETs e HEMTs a partir de tabelas de parâmetros de espalhamento, fornecidos pelo fabricante dos dispositivos. Com os valores dos elementos do circuito de pequenos sinais extraídos, são calculados parâmetros de espalhamento e os resultados são posteriormente comparados com os dados do fabricante. Na segunda parte, um dos transistores HEMT, cujos parâmetros de circuito equivalente de pequenos sinais foram extraídos na primeira parte, é modelado através do método de interpolação bi-cúbica e simulado operando como amplificador sobre uma linha de transmissão do tipo microstrip, através de dois simuladores: o método dos elementos finitos no domínio do tempo (FETD) e QUCS. Os resultados do método FETD e do simulador QUCS são comparados entre si. Uma modelagem de grandes sinais é realizada através do FETD para a análise dos fenômenos não lineares através de curvas de potência de entrada e de saída.pt_BR
dc.description.abstractAbstract: This dissertation has as its fundamental objective the extraction parameters and the field-effect transistors modeling which is basically divided into two parts. The first part proposes a mathematical model of interpolation by the method of least squares iterative, with the aim of extracting linear parameters of MESFETs and HEMTs transistors through of scattering parameter tables that are provided by the manufactured of the devices. However, with the values extracted of small signal circuit elements, scattering parameters are calculated and the results are then compared with the data of the manufacturer. In the second part, one of the HEMT transistors, whose small signal equivalent circuit parameters were extracted in the first part, is modeled by the bi-cubic interpolation method and simulated operating like amplifier on a transmission line microstrip through two simulators: the finite element time domain method (FETD) and QUCS. And then the results of FETD method and QUCS simulator are compared amongst them. A large signal modeling is performed by FETD for the analysis of nonlinear phenomena by curves of power input and output.pt_BR
dc.format.extent104f. : il. algumas colors., grafs., tabs.pt_BR
dc.format.mimetypeapplication/pdfpt_BR
dc.languagePortuguêspt_BR
dc.relationDisponível em formato digitalpt_BR
dc.subjectTesespt_BR
dc.subjectEngenharia elétricapt_BR
dc.subjectTransistores de efeito de campopt_BR
dc.subjectInterpolaçãopt_BR
dc.subjectMinimos quadradospt_BR
dc.titleModelagem de transistores de efeito de campo com extração de parâmetros baseada nos métodos dos mínimos quadrados iterativo e de interpolação bi-cúbicapt_BR
dc.typeDissertaçãopt_BR


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