O formalismo de Redfield aplicado à interface Corante/Semicondutor
Resumo
Resumo: Neste trabalho propomos um modelo simplificado de orbitais atômicos para representar a interface corante/TiO2 de uma célula de Grätzel, com o propósito de ilustrarmos o formalismo de Redfield que inclui um termo associado à recombinação eletrônica na dinâmica quântica. Mostramos que este termo é algumas ordens de grandeza menor que o termo associado à dinâmica quântica. Para que os efeitos da recombinação fossem visíveis, ajustamos (mesmo considerando valores não-físicos) o que chamamos de constante de Redfield para que as dinâmicas quântica e da recombinação pudessem ocorrer na mesma escala de tempo. Fizemos várias análises do processo de transferência de carga na interface corante/TiO2, e desta forma conseguimos explicar, usando o formalismo de Redfield, alguns fenômenos associados à recombinação.
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